据韩媒SEDaily报道，三星HBM4样品已通过英伟达的初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。此外，三星已...

据韩媒SEDaily报道，三星HBM4样品已通过英伟达的初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。此外，三星已经开始向NVIDIA供应其HBM3E内存，价格比SK海力士要低20-30%，预计将首先用于中国特供的H20 AI芯片。

虽然这看似只是一次简单的测试，但对于三星来说，在老对手SK海力士长期占据英伟达订单的背景下，新产品有望缩小与SK海力士的差距。

作为全球首个宣布量产HBM3的厂商，三星在HBM4赛道上原本落后SK海力士近两年时间。此次通过测试的HBM4芯片采用台积电CoWoS-L先进封装工艺，单颗容量达64GB，理论传输速率突破1.2TB/s，其核心技术突破体现在两方面：一是通过重新设计TSV通孔结构，将垂直互联密度提升40%；二是采用新型散热材料，使芯片在同等功耗下运行温度降低12%。这些改进使其在性能参数上直逼SK海力士当前主力产品HBM4（12层堆叠/8Hi设计）。

值得注意的是，三星同步推进的HBM3E 12层产品也将于8月底完成认证。

这种"先进制程+成熟工艺"的组合拳策略，既能在高端市场对标SK海力士，又能通过HBM3E抢占中端市场份额。

英伟达在此时引入第二家供应商的战略意图显而易见。

自2023年SK海力士独占HBM订单以来，其市场份额一度飙升至全球HBM市场的78%，但这也导致英伟达在议价权上陷入被动。三星的加入不仅将重塑供应链格局，更可能引发价格战。

据集邦咨询预测，三星的介入将使HBM4合约价下降15-20%，这对正承受AI算力成本压力的云服务商来说无疑是重大利好。

另外，产能布局方面的较量同样暗流涌动。尽管三星宣称将在11月实现HBM4量产，但行业普遍认为其产能爬坡至少需要6个月时间。相比之下，SK海力士凭借先发优势已在韩国清州工厂建成月产12万片晶圆的HBM4专用产线。

不过三星正在推进的3nm制程HBM5研发已进入流片阶段，相较于HBM4，新架构将实现3倍以上的I/O密度提升。

值得一提的是，地缘政治因素也为这场竞争增添了复杂性。三星选择在韩国本土平泽P3工厂投产HBM4生产线，成功规避了美日荷对华半导体设备出口管制的影响。

这种战略布局不仅保障了供应链安全，还使其能就近支持三星自身Exynos AI芯片的研发需求。随着美国对华技术限制持续收紧，半导体产业链的区域化重构正在加速，而HBM作为AI算力的核心组件，其产能分布将直接影响各国在AI竞赛中的话语权。

SEDaily表示，如果三星顺利向英伟达供应HBM4和HBM3E，则明年的AI存储芯片市场可能发生巨大变化。

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