台积电2nm工艺实现突破，预计2023年投入试产

台积电在新工艺上花费的成本将成为天文数字。

这几年，台积电在最新制程工艺上一直遥遥领先其竞争对手。根据最新报道显示，台积电目前在2nm工艺上取得了一项重大技术突破，尽管该技术并未对外披露细节，但有关人士预计，台积电2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产，并在2024年进入量产阶段。

台积电表示，2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距，同时延续摩尔定律，继续挺进1nm工艺的研发。目前台积电在5nm工艺上遥遥领先竞争对手，而3nm工艺已预计于近日开始生产。按计划，苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺。

2nm工艺上，台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管)，甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)，也就是纳米线(nanowire)，而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管)，也就是纳米片(nanosheet)。该技术能够大大改进电路控制，降低漏电率。

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